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Zen2平台Hynix CJR颗粒超频研究
2019-9-9 17:50| 发布者: royalk| 查看: 14220| 评论: 18|原作者: royalk
摘要: Hynix CJR颗粒(H5AN8G8NCJR,C Die)是SK Hynix去年开始量产的1x nm内存颗粒,今年开始大规模铺货,许多模组厂频率3000C15/3200C16/3600C17/19的中端产品都用这个颗粒。CJR颗粒特性是放宽TRCD到20-21以上,频率就很 ...
Hynix CJR颗粒特性

 Hynix CJR颗粒(H5AN8G8NCJR,C Die)是SK Hynix去年开始量产的1x nm内存颗粒,今年开始大规模铺货,许多模组厂频率3000C15/3200C16/3600C17/19的中端产品都用这个颗粒。CJR颗粒特性是放宽TRCD到20-21以上,频率就很容易上到4000以上,吃电压程度一般,缺点是TRFC收不下来。虽然时序表现不如三星B Die,但是价格比较平民,所以CJR颗粒也可以看作让DDR4-4000走向普及的一步(当然现在还有Micron E Die)。另外,CJR颗粒对锐龙平台的兼容性比较友好,这一年以来也受到很多锐龙平台用户的追捧。

锐龙3000系列CPU内存控制器比之前两代有了更大的进步,虽然由于GMI2总线频率瓶颈和IF总线同步的问题存在,甜点性能还是在3600-3800这段频率,但是向上打开更多的空间也为内存超频玩家提供了更多的可玩性。

金士顿给我提供了两套不带灯的HyperX Fury 3200C16 8GB*2套装,用的是Hynix CJR颗粒。


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最新评论

引用 忘世 2019-9-9 17:55
现在更新到CJR,之前用的是什么颗粒?
引用 royalk 2019-9-9 17:55
忘世 发表于 2019-9-9 17:55
现在更新到CJR,之前用的是什么颗粒?

AFR吧
引用 羽落风尘 2019-9-9 22:18
之前买的3200 C18是镁光E



现在通过金士顿外包装的标签还能看出是用的哪种颗粒不?
引用 taitan001 2019-9-9 23:04
我看老外好几个性能测试都有出现4G*4>8G*2的情况,这个是在T走线才会出现的情况吗
引用 royalk 2019-9-10 10:34
taitan001 发表于 2019-9-9 23:04
我看老外好几个性能测试都有出现4G*4>8G*2的情况,这个是在T走线才会出现的情况吗 ...

single rank的问题
引用 royalk 2019-9-10 10:34
羽落风尘 发表于 2019-9-9 22:18
之前买的3200 C18是镁光E

能的
引用 aaaaaa889 2019-9-10 14:54
R大,打扰啦。最近换了8g单条的ddr4内存,发现同样频率和小参下面,8g双通道速度比4g双通道要快不少,其他配置和平台完全一样。难道内存和固态一样,有颗粒密度或者通道数的区别?或者我的主板默认参数是对8g有优化?内存条都是bdie,4g和8g单面条子。
引用 SSD考察团 2019-9-10 14:56
之前的是镁光E,JEDEC就有3200参数,XMP 1.2v
新的马甲也变了吧
引用 royalk 2019-9-10 15:10
SSD考察团 发表于 2019-9-10 14:56
之前的是镁光E,JEDEC就有3200参数,XMP 1.2v
新的马甲也变了吧

变了,之前那个有SPD开机直接是3200,早期AFR,后面换micron
引用 royalk 2019-9-10 15:10
aaaaaa889 发表于 2019-9-10 14:54
R大,打扰啦。最近换了8g单条的ddr4内存,发现同样频率和小参下面,8g双通道速度比4g双通道要快不少,其他 ...

4G的B die,只有4个Bank?
引用 aaaaaa889 2019-9-10 17:55
本帖最后由 aaaaaa889 于 2019-9-10 21:13 编辑
royalk 发表于 2019-9-10 15:10
4G的B die,只有4个Bank?

应该是的,4 banks是指单面四颗粒吗?
引用 547737657 2019-9-10 18:00
不知上6G的DJR在农企平台又能有怎样的表现,Intel那边总算达成5000亮机了
引用 royalk 2019-9-11 10:05
aaaaaa889 发表于 2019-9-10 17:55
应该是的,4 banks是指单面四颗粒吗?

是的,这种16bit 4bank的颗粒性能肯定是低的
引用 aaaaaa889 2019-9-11 14:32
本帖最后由 aaaaaa889 于 2019-9-11 14:39 编辑
royalk 发表于 2019-9-11 10:05
是的,这种16bit 4bank的颗粒性能肯定是低的

哦哦,我去搜了一下颗粒的datasheet,不知道是不是bank group 4 和 2 的数量差距造成的性能差距?这个好像是ddr4的新特性?

搜到一段博客:越多越好,加速读写能力

家用电脑的内存控制器已经进入双通道内存控制器多年,加速原理为增加位宽,达到同时读写更多资料的能力。

另一种增加频宽的方法就是减少延迟,利用多个chip或是bank达成。一般的内存读取延迟为 命令下达 + 内存读取延迟 + 输出内容,如果命令下达延迟为2ns,内存读取延迟为10ns,输出内容延迟为2ns,那么读取两笔资料的延迟就是 (2+10+2) × 2 = 28ns。

如果能够将资料拆分到2颗内存颗粒上,那么这两笔读取延迟将降低至2+2+10+2=16ns,因为不需要等到前面一笔资料的读取完成才发出下一笔的读取命令,在第一笔资料进入内存读取时就可发出。这种概念也可应用到目前的SSD上,较多的ce分装的快速记忆芯片,通常都比较少ce封装的芯片来得快。

由时序图可以知道,下凡此种尽量拆分内存空间的作法,可以大幅减少延迟。







引用 royalk 2019-9-11 15:05
aaaaaa889 发表于 2019-9-11 14:32
哦哦,我去搜了一下颗粒的datasheet,不知道是不是bank group 4 和 2 的数量差距造成的性能差距?这个好像 ...

我觉得两者皆有原因,但是bankgroup的影响在台式机上没有办法比对。DDR3的时候16bit颗粒4个物理bank性能也是会低一些的,从笔记本内存也看得出。就好像1Rx8总是比2Rx8要慢一点同样道理。
引用 547737657 2019-9-28 22:55
R大,在此阐述,CJR不“吃压”仅表像



CJR需更高的电压方可收紧CL
假设3866C15>>C14: B die +0.05v, C9BJZ +0.1v, CJR +0.15v

而常规用户的电压范围普遍在1.4~1.5v,不“吃压”在1.35~1.45v
0.05v可能决定一个CL,乃至几个小参的差异。如 tRFC在1.35~1.4时比1.5~1.55v更高

最近已知的几款DDR4颗粒,可长期运行于标准DDR3的电压下:
即将正式铺开的DJR 1.5~1.55v,上限预计1.65附近
美光E die 1.5v,上限同DJR。分大S,美光的D9VPP,英睿达的C9BJZ
引用 royalk 2019-9-29 10:04
547737657 发表于 2019-9-28 22:55
R大,在此阐述,CJR不“吃压”仅表像

我没说CJR不吃压。。CL值给电压就能上,4000C16在1.5v左右日常还是可以用的。
引用 547737657 2019-9-30 08:01
理解了,不过很多人将“不吃压”理解成“不耐压”

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